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电子材料:突破高端产品产业化问题

2019-07-07 16:16

  近40年来,我国电子材料工业发生了巨大变化。经过!多年的发展,我国在电子材料领域积累了强大的研究基础,形成了良好的电子材料开发生态环境,达到了一。些领域的国际先进水平。电子材料的发展为我国电子;信息制造业的发展提供、了重要的技术支!持。。在新时期,随着我国科!技实力的提高和崛起,必须加强电子材料工业的支持。这对加快我国经济发展的,转变,提高国防力量具有重要的战略意义。

  电子材料是电子信息技术的基础和先导,是21世纪最重要、最具发展潜力的领,域。它是支持电子信息技术发展的重要基本先导产业。硅单晶晶体!管与硅基集成电路的发展成功地导致了以PC为代表的台式计算机的电子工、业革命。基于砷化镓&#;的半导体激光器的发明使人类进,入了光纤通信和&#;高速宽带信息网络的时代。纵观信息技术的发展历史,不难看出信息技术各个、阶段的主;要跨越式发展已经经历了一代材料和设备的创建。

  改革开放以来,我国电子材料产业经过40、年的发展,形成了相对完整,的电子材料开发体系。&#;更好地支持国内电子信息制造业的发展。中国共产党第十八次全国代表大会以来,电子材料的发展、受到了国家的高度重视。“十三五国家战、略性新兴产业发展规划”!对加快新材料产业创新发展的指导意见,如“十三五国家战略性新兴产业发展规划”对加快新材料产业创新发展的指导先进电子材料的发。展和支持是加快我国电子材料产业发展的重要目标。

  目前,主要从事电子材。料研究和生产的1000&#;多所高校和生产企业。在过去的三年里,随着经济的发展,国内电子产业的经!济运行也进入了正常发展,年平均销售收入增长率约为7%。目前,国内电子材料市场总量超过7000亿元,主要电子材料销售额超过3000亿元。随着技术创新、的重要性和质量的提高,中低端电子材料在、整个行业中的比重越来越大。中高档电,子产品的改造和升级正在加、快.

  以硅为代表的一!代半导体材料是集成电路、制造业的主要基本材料。在过去的两年里,随着8到12英寸的硅片市场需求的增加,国内硅片制造商已经崛起。上海新胜半导体技术有限公司,重庆超级。硅宁夏银半!导体技!术有限公司,郑州河井北京研究,中!国电力有限公司,投资新的扩建和规划。目前,我国已经实现了6英寸或,以下小型硅材料的自给自足,8英寸硅片工业化的关键技术已经突破了工!业化的能力。12英寸硅片的关键技术已经突破,但工业技术还不成熟&#;。

  以砷化镓磷化镓为代表,的第、二代半导体材料在微波毫米波设备的光电设备等应用领;域具有明显的优点。目前,中国电子科技集团公司的46家公司已经突破了4英,寸。半绝缘砷化镓的制备技术,形成了大量的供应能力,取代了进口产品。6英寸半绝缘砷化镓单晶已经开发出来,LED采用低阻砷化镓材料,以满足LED行业的需求。中国电子科技集团(ChinaElectronicTechnologyCommission)、中国科学院(C&#;hinaTech!n;ology);和半4英&#;寸半绝缘磷化技术已经突破了国际先进水平.

  以碳化硅氮化镓为代表的第三代半导体材料主要用于高频和高功率电力电子设备。国内碳化硅材料!开发单位主要是中&#;国电子科技集团有限公司和46家!天科,、山东天岳等4英寸6英寸半绝缘碳化硅制备技术已经。突破。实现了4英寸半绝缘炭、化硅的小批量!供应,低阻碳化硅单晶具有一定的、工业化能力,但工业化技术还不成熟。

  以AlN钻石和Ga2O3为代表的超、宽带半导体材料是未来高频大功率微波功率设备的高压大功率电流电力设备。中国主要开发单位有中国电子科技集团公司46家!,上海;光;学机械学院,西安交通大学,等。目前,30毫米ALN单晶2英寸-Ga2O3单。晶;和1212毫米单晶金。刚石。

  1.企业规模小,研发,力弱,设备投资不、足..我国现有电子材料企业的年收入普遍较小,与大。型国际企。业&#;相比,研发和设备投资、具有较低的竞争力,。例如,半导体硅材料领域的新月(半导体材料)和SUMCO的总资产超过300亿元。新岳的营业收入超过150亿元,SUMCO超过130、亿元,超过80亿元。外国公司通常使用,超过10%的销售额来研究和&#;开发设备投资。我国大部、分电子材料企业的营业收入较少,研发和设备投资较少,难以与大型国际企业竞争。

  2.原、始创新能!力不足,高端;产品自给率不高.我国&#;电子材料原有创新能力不足。对不同学科之间缺乏深层交流和原有理论研究。具有独立知识产权的技术不能从源头上支持&#;材料的发展。!成熟产品集中在低端产品附加值、低利润、有限的高端产品依赖进口,不利于材料制造商,扩大再生产和技术投资。这在很大程度上限制了电子材料、工业的飞跃。

  3.产学与研究的结合并不紧、密。材料制造商和应用单位之间的技术障碍并没&#;有形成有效的工业、大学和研究合作机制。经过一段时间的艰苦工作,我国许多种电子材料的性能指标达到,了一定水平,但由于其起步晚于国外,投资也是有限的。因此,。在质量一致性和稳定性方面,与外国产品不可避,免地。存在一定的差距,材料开发单位本身的努力更难缩校必须依靠和!应用单位的共同努力,通过不断的应用和验证来解决工业化的发展。

  4.如,果创新的研发!机制不完善,就很难满足新时期的发展要求。高端电子材料的发展需要一批具有扎实基础理论的高层领导者,,以掌握世界前沿技术。目前&#;,人才激励相关政策缺乏实施规则和具体指导意见。一些机制难以实施。在知识产权保护成果转化、政策和制度;方面,必须进一步提高科&#;技成果转化率。新技术产品对市场开发的支持、不够。

  1,.加强高层规划,完善产,业政策.加强政府指导,做好高层规划,增加;国家政策和财政支持,制定电子物资产业发展指,导目、录和投资指南,完善产业链创新链资本链。突破高端电子材料的产业化发展,提高了我国;电子信息产业!的基本支;持和国际竞争力。

  2.鼓励原始创新,提高独立创新水平。创新是引领发展的第一动力。它以创新;为主导,&#;鼓励原创新独立创新,为整个行、业创新创!造&#;科学氛围。针对国际电子材料的尖端技术,在关键领域形成技术优势,提高独立创新能力,巩固独立、可控的发展基矗

  3.集成优势资源,实现军民一体化与发展。组织和整合相关优势力量,促!进产学研合作,解决关键机制,建立产业联盟,共同发展,互利共赢。充分借鉴国内外电子材料行业的先进,经验。大力发展军民双重利用技术,促进军民技。术的协同利用,和成果的双向转化,增强科技成果的社会供给。充分发挥军民技术的共同作用,促进电子材料军民一体化。的深入发展!。

  4.加强人才培养,积极引进创新人才..实施!创新人才发展战略,建立。适、合创新人才发展的激励和竞争机制,增加电子材料领域创新人才的培养。同时,,吸收国外高水平的技术和管理人才,为自主创。新的发展提供人才支。持。中国电子材料工业协会会长潘林,,中国电秒速飞艇官网子科技集团46研究所所!长。

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